BJT vs IGBT
BJT (ბიპოლარული შეერთების ტრანზისტორი) და IGBT (იზოლირებული კარიბჭის ბიპოლარული ტრანზისტორი) არის ორი ტიპის ტრანზისტორი, რომელიც გამოიყენება დენების გასაკონტროლებლად. ორივე მოწყობილობას აქვს PN კვანძები და განსხვავდება მოწყობილობის სტრუქტურაში. მიუხედავად იმისა, რომ ორივე ტრანზისტორია, მათ აქვთ მნიშვნელოვანი განსხვავებები მახასიათებლებში.
BJT (ბიპოლარული შეერთების ტრანზისტორი)
BJT არის ტრანზისტორის ტიპი, რომელიც შედგება ორი PN შეერთებისგან (შეერთება, რომელიც ხდება p ტიპის ნახევარგამტარის და n ტიპის ნახევარგამტარის შეერთებით). ეს ორი შეერთება იქმნება სამი ნახევარგამტარული ნაწილის შეერთების გამოყენებით P-N-P ან N-P-N რიგით. ამიტომ ორი ტიპის BJT, რომლებიც ცნობილია როგორც PNP და NPN, ხელმისაწვდომია.
სამი ელექტროდი უკავშირდება ამ სამ ნახევარგამტარ ნაწილს და შუა ტყვიას ეწოდება "ბაზა". სხვა ორი შეერთება არის "ემიტერი" და "კოლექტორი".
BJT-ში დიდი კოლექტორის ემიტერი (Ic) დენი კონტროლდება მცირე ბაზის ემიტერის დენით (IB) და ეს თვისება გამოიყენება გამაძლიერებლების ან გადამრთველების დიზაინისთვის. მაშასადამე, ის შეიძლება ჩაითვალოს მიმდინარე მართულ მოწყობილობად. BJT ძირითადად გამოიყენება გამაძლიერებლის სქემებში.
IGBT (იზოლირებული კარიბჭის ბიპოლარული ტრანზისტორი)
IGBT არის ნახევარგამტარული მოწყობილობა სამი ტერმინალით, რომელიც ცნობილია როგორც "Emitter", "Collector" და "Gate". ეს არის ტრანზისტორის ტიპი, რომელსაც შეუძლია გაუმკლავდეს უფრო მეტ ენერგიას და აქვს გადართვის უფრო მაღალი სიჩქარე, რაც მას მაღალ ეფექტურს ხდის. IGBT ბაზარზე 1980-იან წლებში გამოჩნდა.
IGBT აქვს როგორც MOSFET-ის, ასევე ბიპოლარული შეერთების ტრანზისტორის (BJT) კომბინირებული მახასიათებლები. მას აქვს კარიბჭე, როგორც MOSFET და აქვს დენის ძაბვის მახასიათებლები, როგორიცაა BJT.ამიტომ მას აქვს უპირატესობა როგორც მაღალი დენის მართვის შესაძლებლობით, ასევე კონტროლის სიმარტივით. IGBT მოდულები (შედგება რამდენიმე მოწყობილობისგან) კილოვატ სიმძლავრეს ამუშავებს.
სხვაობა BJT-სა და IGBT-ს შორის
1. BJT არის დენის მართვადი მოწყობილობა, ხოლო IGBT ამოძრავებს კარიბჭის ძაბვას
2. IGBT-ის ტერმინალები ცნობილია როგორც ემიტერი, კოლექტორი და კარიბჭე, ხოლო BJT დამზადებულია ემიტერის, კოლექტორისა და ბაზისგან.
3. IGBT-ები უკეთესია ენერგიის მართვაში, ვიდრე BJT
4. IGBT შეიძლება ჩაითვალოს BJT-ისა და FET-ის (ველის ეფექტის ტრანზისტორი) კომბინაციად
5. IGBT-ს აქვს მოწყობილობის რთული სტრუქტურა BJT-თან შედარებით
6. BJT-ს დიდი ისტორია აქვს IGBT-თან შედარებით
